檢測高純勃姆石中雜質(zhì)元素含量儀器

我公司銷售產(chǎn)品包括X射線熒光光譜儀（含能量色散和波長色散型）（XRF）、電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀（ICP）、電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS) 、原子熒光光譜儀（AFS）、原子吸收分光光度計（AAS）、光電直讀光譜儀（OES）、氣相色譜儀（GC）、氣相質(zhì)譜儀（GC-MS）、液相色譜儀（LC）、液相質(zhì)譜儀（LC-MS）、能譜儀（EDS）、高頻紅外碳硫分析儀（CS）等。產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域有電子電器、五金塑膠、珠寶首飾（貴金屬及鍍層檢測等）、玩具安全（EN71-3等）,F963中規(guī)定的有害物質(zhì)：鉛Pb、砷Ａs、銻Sb、鋇Ｂa、鎘Cd、鉻Cr、Ｈg、硒Se以及氯等鹵族元素、建材（水泥、玻璃、陶瓷、耐火材料等）、合金（銅合金、鋁合金、鎂合金等）、冶金（鋼鐵、稀土、鉬精礦、其它黑色及有色金屬等）、地質(zhì)采礦（各種礦石品位檢測設(shè)備）、塑料（無鹵測試等）、石油化工、高嶺土、煤炭、食品、空氣、水質(zhì)、土壤、環(huán)境保護(hù)、香精香料、紡織品、醫(yī)藥、商品檢驗、質(zhì)量檢驗、醫(yī)療器械重金屬含量測試、人體微量元素和化合物檢驗等等。銷售的儀器設(shè)備應(yīng)用于元素分析，化合物測試，電鍍鍍層厚度檢測等。下面介紹ICP儀器

本儀器的基本工作原理如下:

工作原理：射頻發(fā)生器產(chǎn)生的高頻功率通過感應(yīng)工作線圈加到三層同心石英炬管上，形成高頻振蕩電磁場； 在石英炬管的外層通入氬氣，并進(jìn)行高壓放電產(chǎn)生帶電粒子，帶電粒子在高頻電磁場中往復(fù)運(yùn)動與其他氬原子碰撞，產(chǎn)生更多的帶電粒子，同時溫度升高，最終形成氬氣等離子體，等離子體的溫度可達(dá) 6000K～8000K。待測水溶液試樣通過霧化器形成的氣溶膠進(jìn)入石英炬管中心通道，在高溫環(huán)境下受到激發(fā)，發(fā)射出溶液中所含元素的特征譜線；通過對等離子體光源進(jìn)行采光，并利用掃描分光器進(jìn)行掃描分光，將待測元素的特征譜線光強(qiáng)準(zhǔn)確定位于出口狹縫處，利用光電倍增管將該譜線光強(qiáng)轉(zhuǎn)變成光電流，再經(jīng)電路處理和模數(shù)變換后，進(jìn)入計算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，最后由打印機(jī)打印出分析結(jié)果。

.ICP 形成原理

高頻發(fā)生器的工作頻率是 27.12MHz，最大輸出功率 1500W。主要作用是產(chǎn)生高頻電磁場，供給等離子體能量。炬管是一個三層同心石英玻璃管，外層管內(nèi)通入冷卻氬氣，以避免等離子炬燒壞石英管。中層石英管出口做成喇叭形狀，通入氬氣以維持等離子體。內(nèi)層石英管的內(nèi)徑為 1mm-2mm，由載氣將試樣氣溶膠從內(nèi)管引入等離子體。

當(dāng)高頻電源與圍繞在等離子炬管外的負(fù)載感應(yīng)線圈接通時，高頻感應(yīng)電流流過線圈，產(chǎn)生軸向高頻磁場。此時向炬管的外管內(nèi)切線方向通入冷卻氬氣，中層管內(nèi)軸向（或切向）通入輔助氣體氬氣，并用高頻點(diǎn)火裝置激發(fā)產(chǎn)生帶電粒子，當(dāng)帶電粒子流子多至足以使氣體有足夠的導(dǎo)電率時，在垂直于磁場方向的截面上產(chǎn)生環(huán)形渦電流。

幾百安的強(qiáng)大感應(yīng)電流瞬間將氣體加熱至 6000K-8000K，在炬管口上方形成一個火炬狀的穩(wěn)定的等離子炬。

2.3.2固態(tài)發(fā)生器及自動匹配箱

固態(tài)發(fā)生器

ICP 高頻發(fā)生器為公司自主研發(fā)的全固態(tài)射頻發(fā)生器，采用它激式振蕩電路，輸出最大功率為 1500W，頻率為 27.12MHz。相比于自激震蕩式電子管射頻發(fā)生器，全固態(tài)射頻發(fā)生器具有體積更小、輸出功率更高、頻率功率更加穩(wěn)定、電源效率更高等諸多優(yōu)點(diǎn)。

自動匹配箱

ICP 自動匹配箱具有匹配速度快、精度高等優(yōu)點(diǎn)，免去了人工匹配的諸多麻煩操作。

2.3.3掃描分光器

圖 9.掃描分光儀工作原理圖

分光器由光室、入射狹縫、反光鏡、光柵、出射狹縫和光柵驅(qū)動裝置組成。光柵刻線密度可選，規(guī)格分別為：2400l/mm、3600l/mm 或者 4320l/mm，光室焦距為 1000mm。ICP 發(fā)出的復(fù)合光經(jīng)入射狹縫射到反射鏡上， 再由反射鏡反射到光柵上衍射生成單色光。由計算機(jī)控制光柵驅(qū)動裝置，轉(zhuǎn)動光柵將需要的光譜波長反射鏡到出

射狹縫，由光電倍增管接受光信號，并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換，之后進(jìn)行強(qiáng)度檢測對比。

2.3.4電子測量及控制電路

電路系統(tǒng)共有通訊、氣路控制、步進(jìn)電機(jī)控制和信號采集四項功能。

1、通訊

采用RJ45 網(wǎng)口作為儀器和計算機(jī)之間的通訊接口。具有接口穩(wěn)定、通訊速度快、抗干擾能力強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。

2、氣路控制

ICP700T 的氣路采用*的 MFC（質(zhì)量流量控制器）作為控制部件，分別控制等離子氣、載氣、輔氣，控制精度高，響應(yīng)速度快，流量穩(wěn)定，同時帶有流量反饋功能，可以實時監(jiān)視各路氣體實際流量，確保進(jìn)樣系統(tǒng)工作穩(wěn)定，提高儀器的重復(fù)性與穩(wěn)定性。

3、光柵馬達(dá)驅(qū)動部分電路原理

在步進(jìn)電機(jī)四八拍（每拍 0.9°）的基礎(chǔ)上，采用電路微分技術(shù)，使電機(jī)轉(zhuǎn)動一周為 12800 步。根據(jù)計算機(jī)表中填的波長計算出應(yīng)走的步數(shù)，再由 CPU 控制內(nèi)部接口電路，通過單片機(jī)發(fā)送脈沖數(shù)和方向來控制步進(jìn)電機(jī)轉(zhuǎn)動相應(yīng)的定位步數(shù)。

4、信號采集電路

采用高精度高阻抗的運(yùn)算放大器作為信號輸出的調(diào)節(jié)放大電路，由中央處理器控制放大器的放大信號。信號經(jīng)一級 I/V 轉(zhuǎn)化二級信號放大后輸出到 VF 轉(zhuǎn)換芯片上，再通過 FPGA 計數(shù)后經(jīng)網(wǎng)口接到計算機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理， 由線性電源提供給整個電路。

產(chǎn)品規(guī)格與技術(shù)指標(biāo)

3.1高頻發(fā)生器

1）電路類型：全固態(tài)射頻電源、全自動匹配功能。

2）工作頻率：27.12MHz

3） 頻率穩(wěn)定性：<0.1％

4） 輸出功率：800W ～1500W

5）輸出功率穩(wěn)定性：≤0.2％

6）電磁場泄漏輻射強(qiáng)度：距機(jī)箱 30cm 處，電場：E﹤10V/m； 磁場：H﹤0.2A/m

7） 輸入電源：220V，30A

8）輸出工作線圈內(nèi)徑 25mm、3 匝，配三同心外徑 20mm 的石英炬管

9）同軸型噴霧器外徑 6mm；雙筒型霧室外徑 35mm

10）三路氣體控制流量大小

等離子氣流量計： （60～1200）L/h   或   (1～20）    L/min 輔助氣流量計：  （3～60）  L/h  或  （0.05～1.0）  L/min 載氣流量計： （3～60） L/h 或 （0.05～1.0） L/min

11）冷卻水:水溫范圍 20℃～25℃，流量大于 7 L/min，水壓力大于 0.1MPa，冷卻水電阻率大于 1MΩ。

3.2掃描分光器

1） 光路： Czerny turner 型

2） 焦距： 1000mm

3）光柵規(guī)格：

光柵類型：離子刻蝕全息光柵

刻線密度：2400L/mm、3600L/mm、4320L/mm； 刻劃面積：（80×110）mm

4）線色散倒數(shù)： 0.26nm/mm

5）分辨率：

≤0.015nm（2400 線光柵）

≤0.008nm（3600 線光柵）

≤0.005nm（4320 線光柵）

6）掃描波長范圍：

2400 線光柵：(190～800) nm

3600 線光柵：(190～500) nm

4320 線光柵：(190～460) nm

7）步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動最小步距：≤0.0004nm

8） 反射鏡規(guī)格：（80×105）mm

9） 透鏡： Φ30，1：1 成像

3.3電子測量及控制電路

1)   光電倍增管規(guī)格： 濱松PMT

2)    光電倍增管負(fù)高壓： （-50～-1000）V

3) 光電倍增管電流測量范圍： （10～12～10～4）A

4)信號采集： VF 轉(zhuǎn)換

5)通信電路： 網(wǎng)口通信

3.4計算機(jī)系統(tǒng)

1）主流品牌電腦一套，適用于 XP、WIN7 操作系統(tǒng)

2）打印機(jī)：佳能

3.5整機(jī)技術(shù)指標(biāo)

1）掃描波長范圍：

a) 195nm～800nm（2400L/mm 光柵）

b) 195nm～500nm（3600L/mm 光柵）

c) 195nm～460nm（4320L/mm 光柵）

2）重復(fù)性： 相對標(biāo)準(zhǔn)偏差RSD≤1.5％ ；

3）穩(wěn)定性： 相對標(biāo)準(zhǔn)偏差RSD≤2％；

4）檢出限（µg/L）：

元素 La Ce Pr Nd Sm Eu Gd Tb

波長(nm) 408.672 413.765 414.311 401.225 360.946 381.967 342.247 350.917

檢出限 <3.0<5.0<5.0<5.0<10.0<1.0<10.0<3.0

元素 Dy Ho Er Tm Yb Lu Y Sc

波長(nm) 353.170 345.600 337.271 313.126 369.419 261.541 371.030 335.373

檢出限 <3.0<3.0<3.0<3.0<1.0<3.0<1.0<1.0

元素 Ta Nb Mn Mg B Zn Co Si

波長（nm） 226.230 313.340 257.610 279.553 249.773 213.856 228.616 251.611

檢出限 <5.0<5.0<3.0<1.0<10.0<3.0<3.0<10.0

元素 Ni Cd Fe Ca Mo V Be Ti

波長(nm) 232.003 226.502 239.562 393.366 281.615 310.230 313.041 334.941

檢出限 <5.0<3.0<3.0<1.0<5.0<5.0<1.0<3.0

元素 Cu Cr Al Zr Ag Sr Au Pt

波長(nm) 324.754 267.716 396.152 343.823 328.068 407.771 242.795 265.945

檢出限 <3.0<5.0<5.0<5.0<3.0<1.0<5.0<5.0

元素 Pd Ir Rh Ru Ba Li Na K

波長(nm) 340.458 224.268 343.489 240.272 455.403 670.784 588.995 766.490

檢出限 <5.0<10.0<10.0<5.0<1.0≤3 ≤20 ≤60

元素 As Sb Bi Hg Pb Ga Os W

波長(nm) 228.812 206.833 223.061 253.652 220.353 294.364 225.585 207.911

檢出限 ≤15 ≤15 ≤10 ≤15 ≤15 ≤10 ≤1 ≤10

元素 Sn Te Ta Th Tl Re Ge Se

波長(nm) 242.949 214.281 226.230 283.730 276.787 227.525 209.426 203.985

檢出限 ≤20 ≤10 ≤5.0 ≤10 ≤30 ≤5 ≤15 ≤30

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