進(jìn)口金屬元素測試儀

儀器介紹：

   手持式儀器資料：

Delta標(biāo)準(zhǔn)型DS2000合金分析儀元素分析范圍

可分析從從12號元素Mg到94號元素PU之間的所有合金。

合金分析儀技術(shù)規(guī)格

售后服務(wù)

深圳市客戶服務(wù)中心，作為的Innov-X中國服務(wù)中心，負(fù)責(zé)整個(gè)中國市場的銷售與技術(shù)服務(wù)。為中國地區(qū)的客戶提供儀器安裝、軟件調(diào)試、使用培訓(xùn)、儀器校驗(yàn)、硬件維修與維護(hù)等售后

．質(zhì)量保證：

公司保證向客戶提供，美國Innov-X公司*儀器，使用上等的材料和頭等工藝制成，全新，進(jìn)口，未曾使用，并*符合本合同規(guī)定的質(zhì)量。貨品質(zhì)量保證期為十二個(gè)月.

．售后服務(wù)：

美國（Innov-X System）公司為其范圍內(nèi)的伊諾斯產(chǎn)品提供售后服務(wù)。中國區(qū)域內(nèi)的伊諾斯用戶由深圳市售后服務(wù)中心 Innov-X中國服務(wù)中心負(fù)責(zé)產(chǎn)品的終身維護(hù)。美國伊諾斯（Innov-X System）公司為其范圍內(nèi)的伊諾斯產(chǎn)品主機(jī)提供壹年的保修期，為X射線管（X-tube），探測器(Dector)提供2000小時(shí)或壹年的保修期，為PDA提供壹年的保修期。附件鋰電池，電源供應(yīng)器，充電器, 數(shù)據(jù)傳輸座不在保修范圍內(nèi)。

、下述物理性損壞不保修。

A：儀器承受很大的沖擊力導(dǎo)致機(jī)器內(nèi)部的沖擊傳感器由白色變成紅色。

B：detector破損。

C：PDA破損。

D：儀器外殼破損。

E：附件

F：部件丟失。

G：儀器進(jìn)異物。

直讀光譜儀資料：

型全譜直讀光譜儀采用標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，應(yīng)用了的CMOS信號采集元件，每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù)，與光譜儀yi流技術(shù)同步，采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀，既包含了CCD光譜儀的全譜特性，又具備PMT光譜儀對非金屬元素的極低檢出限，整機(jī)設(shè)計(jì)合理，操作簡單易學(xué)，具有數(shù)據(jù)，長期穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

冶金、鑄造、機(jī)械、科研、商檢、汽車、石化、造船、電力、航空、核電、金屬和有色冶煉、加工和回收工業(yè)中的各種分析。

可檢測基體

鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基。

主要技術(shù)參數(shù)

v  光學(xué)系統(tǒng)：帕型-龍格 羅蘭圓全譜真空型光學(xué)系統(tǒng)

v  波長范圍：140~680nm

v  光柵焦距：401mm

v  探 測 器：性能CMOS陣列/CCD陣列

v  光源類型：數(shù)字光源，能預(yù)燃技術(shù)（HEPS）

v  放電頻率：100-1000Hz

v  放電電流：大500A

v  工作電源：AC220V 50/60Hz 1000W

v  檢測時(shí)間：依據(jù)樣品類型而定，一般20S左右

v  電極類型：鎢材噴射電極

v  分析間隙：4mm

v  其他功能：真空，溫度，軟件自動(dòng)控制；壓力，通訊監(jiān)測

主要特點(diǎn)

v  性能光學(xué)系統(tǒng)

采用精度的CMOS元件可測定非金屬元素如C、P、S、As、B、N以及各種金屬元素含量；測定結(jié)果，重復(fù)性及長期穩(wěn)定性。

v  自動(dòng)光路校準(zhǔn)

自動(dòng)光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作；

儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線與原存儲(chǔ)線進(jìn)行對比，確定漂移位置，找出分析線當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測定。

v  插拔式透鏡設(shè)計(jì)

真空光學(xué)系統(tǒng)采用*的入射窗與真空隔離，可在真空系統(tǒng)工作狀態(tài)下進(jìn)行操作，光學(xué)透鏡采用插拔式透鏡結(jié)構(gòu)，日常清洗維護(hù)方便快捷。

v  真空防返油技術(shù)

多級隔離的真空防返油技術(shù)，采用真空壓差閥門保證真空泵不工作時(shí)真空光室與真空*隔離；中間增加了真空濾油裝置，確保真空泵中油不進(jìn)入真空室，保障CMOS檢測器及光學(xué)元件在可靠環(huán)境中工作。

v  開放式激發(fā)臺(tái)

開放式激發(fā)臺(tái)機(jī)靈活的樣品夾設(shè)計(jì)，以滿足客戶現(xiàn)場的各種形狀大小的樣品分析；配合使用小樣品夾具，線材低分析可達(dá)到3mm。

v  噴射電極技術(shù)

采用的噴射電極技術(shù)，使用鎢材料電極，在激發(fā)狀態(tài)下，電極周圍會(huì)形成氬氣噴射氣流，這樣在激發(fā)過程中激發(fā)點(diǎn)周圍不會(huì)與外界空氣接觸，提激發(fā)精度；配上du特氬氣氣路設(shè)計(jì)，大大降低了氬氣使用量，也降低客戶使用成本。

v  集成氣路模塊

氣路系統(tǒng)采用氣路模塊免維護(hù)設(shè)計(jì)，替代電磁閥和流量計(jì)，電極自吹掃功能，為激發(fā)創(chuàng)造了良好的環(huán)境。

v  數(shù)字化激發(fā)光源

數(shù)字激發(fā)光源，采用為的等離子激發(fā)光源，超穩(wěn)定能量釋放在氬氣環(huán)境中激發(fā)樣品；可任意調(diào)節(jié)光源的各項(xiàng)參數(shù)，滿足各種不同材料的激發(fā)要求。

v  速數(shù)據(jù)采集

儀器采用性能CMOS檢測元件，具有每塊CMOS單獨(dú)超速數(shù)據(jù)采集分析功能，并能自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測控制光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊的運(yùn)行狀態(tài)。

v  以太數(shù)據(jù)傳輸

計(jì)算機(jī)和光譜儀之間使用以太網(wǎng)卡和TCP/IP協(xié)議，避免電磁干擾，光纖老化的弊端，同時(shí)計(jì)算機(jī)和打印機(jī)*外置，方便升級和更換；可以遠(yuǎn)程監(jiān)控儀器狀態(tài)，多通路操控系統(tǒng)控制和監(jiān)控所有的儀器參數(shù)。

v  多基體分析

光路設(shè)計(jì)采用羅蘭圓結(jié)構(gòu)，檢測器上下交替排列，保證接收全部的譜線，不增加硬件設(shè)施，即可實(shí)現(xiàn)多基體分析；便于根據(jù)生產(chǎn)的需要增加基體及材料種類和分析元素（無硬件成本）。

v  軟件中英文系統(tǒng)

儀器軟件操作簡單，*兼容于Windows7/8/10系統(tǒng)。

進(jìn)口金屬元素測試儀